高光譜成像儀作為一種光學儀器，其最為核心的部件就是探測器，它主要用于將光電信息轉換為圖像信息。目前，常見的探測器有CCD、CMOS、EMCCD、sCMOS等。本文對高光譜成像儀探測器類型做了介紹。

在高光譜成像系統(tǒng)中，圖像傳感器用來實現(xiàn)光電轉換，它的選擇很重要。常見的探測器有CCD、CMOS、EMCCD、sCMOS。

CCD是一種電荷耦合器件，工作原理是將光信號通過光電效應轉化成電子，其成像區(qū)域與功能區(qū)域實際上是分離開的，因為像元會按照每一行的順序將所收集到的電子傳輸?shù)焦餐妮敵錾?，再將電荷記錄成電壓暫時存儲在寄存器中，最后存儲在成像區(qū)域之外，CCD圖像傳感器具有高靈敏度。

CMOS是集成電路的一種，最早被稱為絕緣柵場效應晶體管，在CMOS圖像傳感器中，在每一個像素上，電子轉換成電壓，可以將很多功能集成進芯片，讀取圖像更靈活，但是其光敏單元在像元整體面積中所占比例較低。

EMCCD是一種高端光電探測產品，也叫做電子倍增CCD，是一種新興的微弱光信號增強探測技術，在CCD的基礎上增加了增益寄存器，光子通過寄存器，不斷撞擊器壁，因此，光生電荷的數(shù)量被放大，由此提高了CCD的感光靈敏度，同時降低讀出噪聲。

sCMOS是科學級CMOS，具有低噪聲、高幀頻和高動態(tài)范圍等優(yōu)點，是最新圖像傳感器技術，實質上是CCD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器的結合，其性能遠遠高于CCD和CMOS探測器。

前照式圖像傳感器適用于低照度的環(huán)境中，其結構由微透鏡組、濾光鏡、電路層以及光電二極管組成，光線首先通過微透鏡組，經(jīng)過濾光鏡過濾成紅、綠、藍三種光，穿過電路層后，被光電二極管接收，因此形成彩色圖像，這些很多層狹小的電路層會對部分光線產生阻擋或者發(fā)生反射，對光線的利用率不到70%。背照式圖像傳感器與前照式圖像傳感器相比，是對背照式圖像傳感器的結構做出調整，將電路層和光電二極管的位置互換，提高了背照式相機的光利用率，光幾乎不被阻擋和干擾，然后被光電二極管捕獲，背照式相機的靈敏度和信噪比也高于前照式相機，更適用于暗場工作環(huán)境。因此，本系統(tǒng)采用背照式相機。

背照式sCMOS科學相機的選擇主要是考慮探測器的像元數(shù)、像元尺寸、量子效率等。探測器的量子效率（QE）代表著光電器件的光電轉換能力，是指單位時間產生的光電子數(shù)目與入射光子數(shù)目的比值，當其他條件相同的情況下，量子效率越高，可轉換為電信號越多，所獲得圖像的信噪比也就越高。