高光譜成像儀器探測技術(shù)之圖像傳感器的類型
發(fā)布時間:2024-10-18
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探測器是高光譜成像儀的核心部件,它主要用來實現(xiàn)光電信號的轉(zhuǎn)換。目前高光譜成像儀中常用的探測器的類型主要有CCD、CMOS、EMCCD、sCMOS等,不同類型的傳感器其特性是不同的。本文對高光譜成像儀?器探測技術(shù)之圖像傳感器的類型做了介紹。
探測器是高光譜成像儀的核心部件,它主要用來實現(xiàn)光電信號的轉(zhuǎn)換。目前高光譜成像儀中常用的探測器的類型主要有CCD、CMOS、EMCCD、sCMOS等,不同類型的傳感器其特性是不同的。本文對高光譜成像儀器探測技術(shù)之圖像傳感器的類型做了介紹。
在高光譜顯微成像系統(tǒng)中,圖像傳感器用來實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換,它的選擇很重要。常見的探測器有CCD、CMOS、EMCCD、sCMOS。
CCD是一種電荷耦合器件,工作原理是將光信號通過光電效應轉(zhuǎn)化成電子,其成像區(qū)域與功能區(qū)域?qū)嶋H上是分離開的,因為像元會按照每一行的順序?qū)⑺占降碾娮觽鬏數(shù)焦餐妮敵錾希賹㈦姾捎涗洺呻妷簳簳r存儲在寄存器中,最后存儲在成像區(qū)域之外,CCD圖像傳感器具有高靈敏度。
CMOS是集成電路的一種,最早被稱為絕緣柵場效應晶體管,在CMOS圖像傳感器中,在每一個像素上,電子轉(zhuǎn)換成電壓,可以將很多功能集成進芯片,讀取圖像更靈活,但是其光敏單元在像元整體面積中所占比例較低。
EMCCD是一種高端光電探測產(chǎn)品,也叫做電子倍增CCD,是一種新興的微弱光信號增強探測技術(shù),在CCD的基礎(chǔ)上增加了增益寄存器,光子通過寄存器,不斷撞擊器壁,因此,光生電荷的數(shù)量被放大,由此提高了CCD的感光靈敏度,同時降低讀出噪聲。
sCMOS是科學級CMOS,具有低噪聲、高幀頻和高動態(tài)范圍等優(yōu)點,是最新圖像傳感器技術(shù),實質(zhì)上是CCD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器的結(jié)合,其性能遠遠高于CCD和CMOS探測器。
前照式圖像傳感器適用于低照度的環(huán)境中,其結(jié)構(gòu)由微透鏡組、濾光鏡、電路層以及光電二極管組成,光線首先通過微透鏡組,經(jīng)過濾光鏡過濾成紅、綠、藍三種光,穿過電路層后,被光電二極管接收,因此形成彩色圖像,這些很多層狹小的電路層會對部分光線產(chǎn)生阻擋或者發(fā)生反射,對光線的利用率不到70%。背照式圖像傳感器與前照式圖像傳感器相比,是對背照式圖像傳感器的結(jié)構(gòu)做出調(diào)整,將電路層和光電二極管的位置互換,提高了背照式相機的光利用率,光幾乎不被阻擋和干擾,然后被光電二極管捕獲,背照式相機的靈敏度和信噪比也高于前照式相機,更適用于暗場工作環(huán)境。
背照式sCMOS科學相機的選擇主要是考慮探測器的像元數(shù)、像元尺寸、量子效率等。探測器的量子效率(QE)代表著光電器件的光電轉(zhuǎn)換能力,是指單位時間產(chǎn)生的光電子數(shù)目與入射光子數(shù)目的比值,當其他條件相同的情況下,量子效率越高,可轉(zhuǎn)換為電信號越多,所獲得圖像的信噪比也就越高。
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